RAM是计算机的核心部件，但我们谈论得还不够。如果没有精美的散热器设计和 RGB 照明，RAM 很少能在阳光下工作。 CPU 和 GPU 大致设定了构建的其余部分运行的条件，但您可以使用更快的 RAM 来提高 PC 的速度。虽然 RAM 时钟速度至关重要，但 RAM 时序也决定了 RAM 的速度。
提示： 购买内存/RAM？本指南告诉您需要了解的内容。
RAM 的速度可以在盒子或模块上找到。您还可以使用 CPU-Z 等软件检查 RAM 规格或在 BIOS/UEFI 内。 RAM 模块的全名类似于以下内容：
DDR4 3200 (PC4 25600)“DDR4”描述了模块兼容的 DDR（双倍数据速率）一代。相同的数字（3、4或5）出现在“PC”编号中，描述相同的事物。
第一个四位数字（在我们的示例中为 3200）通常表示 RAM 的时钟速度（以兆赫为单位）。这实际上有点营销谎言，但不要感到难过：PC OEM 和零售商直接鼓励了这种误解。这个数字实际上报告了“数据速率”，以每秒兆传输量为单位，或者106每秒的数据传输操作数。
在 DDR RAM 中，实际时钟速度是额定速度的一半：在我们的示例中为 600 MT/s，尽管该速度是通过乘法预取位从 400 MHz 的内部 RAM 时钟速度提高的。然而，由于 DDR 在每个时钟周期传输数据两次，因此“有效”时钟速度据说是实际时钟速度的两倍。因此，真实数据速率实际上与 RAM 的额定时钟速度（以 MT/s 为单位）相同。
PC 编号（在我们的示例中为 25600）显示了以兆字节每秒 (MB/s) 为单位测量的传输速率。通过将数据速率（以 MT/s 为单位）乘以 I/O 总线的宽度（所有现代主板中的 64 位），我们可以确定最大可能的传输速率：
每秒 3200 兆传输 x 每次传输 64 位/每字节 8 位 = 25600 MB/s
每个数字独立地告诉您 RAM 时钟速度，但这两个数字提供相同的信息，只是形式不同。
您最后一次进行记忆测试是什么时候？我们向您展示如何检查 RAM 的健康状况.
什么是 RAM 时序？
计时是测量 RAM 速度或延迟的另一种方法。这些时序测量 RAM 模块上各种常见操作之间的延迟。延迟只是操作之间的延迟。它可以被认为是“等待时间”。最短时间由规范设置，因此您可以阅读最快的 RAM 时序表对于每个 DDR4 规格。
我们以时钟周期来测量 RAM 时序。零售商将时间列为由破折号分隔的四个数字，例如 16-18-18-38。数字越小速度越快。数字的顺序告诉您它们的含义。
第一个数字：CAS 延迟 (CL)
内存响应CPU所需的时间就是CAS延迟（CL）。但不能孤立地考虑 CL。此公式将 CAS 延迟转换为纳秒，这是基于 RAM 的传输速率：
(CL/Transfer Rate) x 2000因此，如果 CL 等级较小，则 MT/s 等级较慢的 RAM 实际上可以具有较低的延迟。对于 DDR4 模块，16 的 CAS 延迟是可用的最快延迟之一。同样，对于 DDR5 RAM，CL30 目前是 RAM 延迟方面的最佳选择。
第二个数字：T漏电保护装置
RAM 模块使用基于网格的设计进行寻址。行号和列号的交集表示特定的存储器地址。行地址到列地址延迟（T漏电保护器）测量在内存中输入新行和开始访问其中的列之间的最小延迟。您可以将其视为 RAM“到达”地址所需的时间。从先前不活动的行接收第一位所需的时间是 T漏电保护器+ CL。
第三个数字：时间RP
行预充电时间（TRP）测量在内存中打开新行所涉及的延迟。从技术上讲，它测量空闲（或关闭）一行的预充电命令与打开另一行的激活命令之间的延迟。它通常与第二个数字相同。影响这两个操作的延迟的因素相同。
第四：时间RAS
行活动时间 (TRAS）测量一行必须保持打开状态才能正确写入数据的最小周期数。从技术上讲，它测量行上的激活命令和同一行上的预充电命令之间的延迟，或者打开和关闭该行之间的最短时间。对于SDRAM模块，T漏电保护器+ CL 计算 TRAS.
提示：您的记忆力有问题吗？诊断问题Windows内存诊断工具.
你的内存有多快？
这些延迟确实限制了 RAM 的速度。但限制是 RAM 规格，而不是物理因素。管理 RAM 的内存控制器会强制执行这些时序，这意味着它们是可调整的（如果主板允许的话）。您也许可以通过以下方式获得额外的性能超频你的内存并将时序收紧几个周期。
RAM 超频是硬件超频技术中最不稳定的，需要最多的实验和失败。但更快的 RAM 可以缩短受 RAM 限制的工作负载的处理时间，从而提高渲染速度和虚拟机响应能力。
图片来源：未飞溅
